技術(shù)創(chuàng)新
以科技洞悉未來，唯創(chuàng)新賦能發(fā)展
三安擁有國(guó)家級(jí)企業(yè)技術(shù)中心、博士后科研工作站、省市級(jí)重點(diǎn)工作室、院士工作站等國(guó)家級(jí)一流研發(fā)平臺(tái)和CNAS/NVLAP國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)檢測(cè)平臺(tái)。
公司擁有的外籍專家、博士，高工、碩士，光電子專業(yè)本科等研發(fā)人才眾多。未來，持續(xù)加大研發(fā)力度，不斷科技創(chuàng)新，追求卓越發(fā)展。
研發(fā)人員
每年投入研發(fā)費(fèi)用
每年研發(fā)投入占比
研發(fā)中心
全產(chǎn)品覆蓋布局，中、美、日、歐洲等全球多個(gè)國(guó)家和地區(qū)布局，為公司構(gòu)筑堅(jiān)實(shí)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)壁壘。
國(guó)際專利
發(fā)明專利占比
產(chǎn)品專利總量
技術(shù)成果
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照明自主可控的高可靠、高光效白光LED，@25mA條件下，發(fā)光效率超過290lm/W 。
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顯示開發(fā)出邊長(zhǎng)小于等于5μm的Micro LED產(chǎn)品。
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背光大于等于160度大角度，高可靠Mini 背光產(chǎn)品。
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車用4A高電流密度下, 車規(guī)級(jí)應(yīng)用3000小時(shí);1A驅(qū)動(dòng)電流，工作電壓下降至3.02V,國(guó)際領(lǐng)先水準(zhǔn)。
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植物照明660nm紅光 WPE 達(dá)到65%以上 (@350mA 裸晶） 達(dá)到國(guó)際水準(zhǔn)。
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紫外波段涵蓋260nm~415nm,大功率最高可達(dá)150mW（@350mA）。
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激光技術(shù)攻關(guān)超8瓦大功率 InGaN藍(lán)光激光器，達(dá) 到國(guó)際水準(zhǔn)。
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先進(jìn)砷化鎵微波射頻代工平臺(tái)提供先進(jìn)微波射頻制程技術(shù)，主要包含HBT，pHEMT，組成業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，覆蓋頻譜全面的微波射頻制程技術(shù)型譜，提供先進(jìn)便利的射頻技術(shù)平臺(tái)與服務(wù)助力產(chǎn)品開發(fā)。
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寬禁帶半導(dǎo)體垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈打造了從長(zhǎng)晶、襯底、外延、芯片到封裝測(cè)試的碳化硅垂直整合產(chǎn)業(yè)鏈，加速功率器件產(chǎn)業(yè)化和高能效應(yīng)用的普及。
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全波長(zhǎng)全速率收發(fā)光芯片型譜提供全波長(zhǎng)全速率的VCSEL芯片及陣列、DFB激光器、雪崩光電二極管(APDs)、光電二極管、監(jiān)控光電二極管(MPDs)等高速光學(xué)產(chǎn)品的晶圓制造。
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自研襯底的垂直整合濾波器制造平臺(tái)濾波器已通過全球射頻前端主流平臺(tái)驗(yàn)證，擁有國(guó)內(nèi)多家領(lǐng)先的模塊和手機(jī)合作伙伴，具備高質(zhì)量4寸鉭酸鋰襯底生產(chǎn)能力，器件級(jí)小型化、CPS、晶圓級(jí)WLP封裝能力。