6月26-28日，IPF 2024碳化硅功率器件制造與應(yīng)用測試大會在無錫市錫山圓滿舉行。大會以“穿越周期，韌性增長”為主題，解構(gòu)SiC市場增長確定性與新業(yè)態(tài)模式、前沿技術(shù)趨勢以及落地應(yīng)用進(jìn)程，近千名產(chǎn)業(yè)鏈技術(shù)專家齊聚。

會上，三安應(yīng)用技術(shù)總監(jiān)姚晨發(fā)表了精彩的技術(shù)報告。報告首先基于SiC寬禁帶材料的特點(diǎn)，剖析了SiC二極管與MOSFET器件耐高電壓、高頻、高溫的特性，以及其在新能源汽車、電源領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢。隨后指出了當(dāng)前影響SiC功率器件更大范圍推廣應(yīng)用的關(guān)鍵痛點(diǎn)，如成本、可靠性、短路、驅(qū)動等問題，并說明了行業(yè)解決方案。

在報告的核心部分，姚晨根據(jù)三安全產(chǎn)業(yè)鏈的企業(yè)特點(diǎn)，分別從晶圓、外延、芯片、封裝以及應(yīng)用多個方面詳細(xì)闡述了SiC功率器件對于半導(dǎo)體先進(jìn)技術(shù)與工藝的需求。他認(rèn)為，要充分發(fā)揮SiC功率器件的潛力、開拓更廣范圍的應(yīng)用市場占比，必須突破現(xiàn)有技術(shù)與工藝的局限，如8英寸晶圓的量產(chǎn)與切割、高質(zhì)量低缺陷的外延、柵氧可靠的低比導(dǎo)通電阻芯片以及耐高結(jié)溫且功率循環(huán)壽命高的先進(jìn)封裝。他強(qiáng)調(diào)了三安在技術(shù)研發(fā)和工藝創(chuàng)新方面取得的突破，并指出垂直整合模式在先進(jìn)技術(shù)與工藝的持續(xù)驗(yàn)證與迭代方面具有顯著優(yōu)勢，可以實(shí)現(xiàn)無縫銜接的反饋，促進(jìn)健康閉環(huán)。此外，他還分享了三安在SiC功率器件領(lǐng)域的最新進(jìn)展，包括已成功開發(fā)出的高性能、高可靠性的SiC二極管和SiC MOSFET等。

作為我國半導(dǎo)體行業(yè)的代表性企業(yè)之一，三安一直致力于SiC功率器件的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化。此次參會，不僅展示了三安在SiC領(lǐng)域的先進(jìn)理念和技術(shù)，也為行業(yè)的發(fā)展提供了有益的借鑒。

IPF 2024碳化硅功率器件大會的成功舉辦，為我國SiC功率器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供了有力支持。三安將繼續(xù)發(fā)揮自身優(yōu)勢，攜手行業(yè)伙伴，共同推動我國SiC功率器件技術(shù)邁向更高水平。